IRF7319TRPBF vs IRF7351TRPBF

Это подробное сравнение IRF7351TRPBF и IRF7319TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7351TRPBF

+БОМ

1607 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7319TRPBF

+БОМ

7642 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SO-8 SO-8
Описание MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
FETFeature Logic Level Gate Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 8A -
RdsOn(Max)@IdVgs 17.8mOhm @ 8A, 10V 29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 50µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 36nC @ 10V 33nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1330pF @ 30V 650pF @ 25V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRF7351TRPBF IRF7319TRPBF

+БОМ RFQ