IRF7341PBF vs IRF7303QTRPBF

Это подробное сравнение IRF7341PBF и IRF7303QTRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7341PBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
4680 ПКС
Package
SOIC-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
+БОМ RFQ
Part B

IRF7303QTRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
6982 ПКС
Package
SOIC-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRF7341PBF IRF7303QTRPBF
Supplier Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Status Discontinued at Digi-Key Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4.7A 4.9A
Rds On(Max) @ Id Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V 50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 36nC @ 10V 25nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 740pF @ 25V 520pF @ 25V
Power - Max 2W 2W
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Series HEXFET® -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Compare RFQ