IRF7343TRPBF vs IRF7341TRPBF

Это подробное сравнение IRF7341TRPBF и IRF7343TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7341TRPBF

+БОМ

4836 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7343TRPBF

+БОМ

3788 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SO8 SO8
Описание MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
FETFeature Logic Level Gate Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 55V 55V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4.7A 4.7A, 3.4A
RdsOn(Max)@IdVgs 50mOhm @ 4.7A, 10V 50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 36nC @ 10V 36nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 740pF @ 25V 740pF @ 25V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRF7341TRPBF IRF7343TRPBF

+БОМ RFQ