IRF7404TRPBF vs IRF7478TRPBF

Это подробное сравнение IRF7478TRPBF и IRF7404TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7478TRPBF

+БОМ

4717 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7404TRPBF

+БОМ

3229 ПКС | Международный исправитель
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание MOSFET N-CH 60V 7A 8SO MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Obsolete Active
FETType N-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60 V 20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 7A (Ta) 6.7A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V 2.7V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 26mOhm @ 4.2A, 10V 40mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min)
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 31 nC @ 4.5 V 50 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V ±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1740 pF @ 25 V 1500 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRF7478TRPBF IRF7404TRPBF

+БОМ RFQ