IRF7416TRPBF vs IRF7410TRPBF

Это подробное сравнение IRF7416TRPBF и IRF7410TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7416TRPBF

+БОМ

4708 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7410TRPBF

+БОМ

2629 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание MOSFET P-CH 30V 10A 8SO MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V 12 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 10A (Ta) 16A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 20mOhm @ 5.6A, 10V 7mOhm @ 16A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 900mV @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 92 nC @ 10 V 91 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V ±8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1700 pF @ 25 V 8676 pF @ 10 V
PowerDissipation(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRF7416TRPBF IRF7410TRPBF

+БОМ RFQ