IRF7416TRPBF vs IRF7473TRPBF Сравнение
Это подробное сравнение IRF7416TRPBF и IRF7473TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
SOIC-8
SOIC-8
Описание
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Active
FET Type
P-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
10A (Ta)
6.9A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
4.5V, 10V
10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
20mOhm @ 5.6A, 10V
26mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
1V @ 250µA
5.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
61 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
1700 pF @ 25 V
3180 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
