IRF7425TRPBF vs IRF7473TRPBF Сравнение
Это подробное сравнение IRF7473TRPBF и IRF7425TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
SOIC-8
SOIC-8
Описание
MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO
MOSFET P-CH 20V 15A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
6.9A (Ta)
15A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
10V
2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs
26mOhm @ 4.1A, 10V
8.2mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id
5.5V @ 250µA
1.2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
130 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±20V
±12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
3180 pF @ 25 V
7980 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
