IRF7503TR vs IRF7506TRPBF

Это подробное сравнение IRF7503TR и IRF7506TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7503TR

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 2862 ПКС
Package: TSSOP-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Part B

IRF7506TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 5046 ПКС
Package: TSSOP-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRF7503TR	IRF7506TRPBF
Supplier	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Series	-	HEXFET®
Part Status	Obsolete	Obsolete
FET Type	2 N-Channel (Dual)	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V	30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	2.4A	1.7A
Rds On(Max) @ Id Vgs	135mOhm @ 1.7A, 10V	270mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	1V @ 250µA	1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	12nC @ 10V	11nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	210pF @ 25V	180pF @ 25V
Power - Max	1.25W	1.25W
Operating Temperature	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ