IRF9317TRPBF vs IRF9358PBF
Это подробное сравнение IRF9358PBF и IRF9317TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
SOIC-8
Описание
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
MOSFET P-CH 30V 16A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Discontinued at Digi-Key
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 P-Channel (Dual)
-
FET Feature
Logic Level Gate
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.2A
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16.3mOhm @ 9.2A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 25µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1740pF @ 25V
-
Power - Max
2W
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Base Product Number
IRF9358
-
ProductStatus
-
Active
FETType
-
P-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
16A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
6.6mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
2.4V @ 50µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
92 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
2820 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max)
-
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
