IRF9393TRPBF vs IRF9321TRPBF

Это подробное сравнение IRF9393TRPBF и IRF9321TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF9393TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 4060 ПКС
Package: SOIC-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

IRF9321TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 5927 ПКС
Package: SOIC-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRF9393TRPBF	IRF9321TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	P-Channel	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	9.2A (Ta)	15A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V, 20V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	13.3mOhm @ 9.2A, 20V	7.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.4V @ 25µA	2.4V @ 50µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	38 nC @ 10 V	98 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±25V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1110 pF @ 25 V	2590 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)	2.5W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ