IRF9393TRPBF vs IRF9321TRPBF

Это подробное сравнение IRF9393TRPBF и IRF9321TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF9393TRPBF

+БОМ

4060 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF9321TRPBF

+БОМ

5927 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO MOSFET P-CH 30V 15A 8SO
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 9.2A (Ta) 15A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V, 20V 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 13.3mOhm @ 9.2A, 20V 7.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.4V @ 25µA 2.4V @ 50µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 38 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±25V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1110 pF @ 25 V 2590 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRF9393TRPBF IRF9321TRPBF

+БОМ RFQ