IRF9530NPBF vs IRF9530NS

Это подробное сравнение IRF9530NS и IRF9530NPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF9530NS

+БОМ

5563 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF9530NPBF

+БОМ

5248 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет TO-263 TO-220-3
Описание MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Obsolete Active
FETType P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 14A (Tc) 14A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 200mOhm @ 8.4A, 10V 200mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 58 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 760 pF @ 25 V 760 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 3.8W (Ta), 79W (Tc) 79W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount Through Hole
Модель сравнения : IRF9530NS IRF9530NPBF

+БОМ RFQ