IRF9540NPBF vs IRF9540

Это подробное сравнение IRF9540 и IRF9540NPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF9540

+БОМ

4649 ПКС | Vishay Силиконикс
IRF9540NPBF

+БОМ

6653 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет TO-220-3 TO-220-3
Описание MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
ProductStatus Obsolete Active
FETType P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 19A (Tc) 23A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 200mOhm @ 11A, 10V 117mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 61 nC @ 10 V 97 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1400 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 150W (Tc) 140W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Series - HEXFET®
Модель сравнения : IRF9540 IRF9540NPBF

+БОМ RFQ