IRFB4020PBF vs IRFB4310PBF

Это подробное сравнение IRFB4310PBF и IRFB4020PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRFB4310PBF

+БОМ

4639 ПКС | Международный исправитель
IRFB4020PBF

+БОМ

1864 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет TO-220-3 TO220-3
Описание IRFB4310 - 12V-300V N-CHANNEL PO MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Series HEXFET® -
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V 200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 130A (Tc) 18A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 7mOhm @ 75A, 10V 100mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4.9V @ 100µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 250 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 7670 pF @ 50 V 1200 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) 300W (Tc) 100W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Модель сравнения : IRFB4310PBF IRFB4020PBF

+БОМ RFQ