IRFB7434PBF vs IRFB7537PBF Сравнение

Это подробное сравнение IRFB7537PBF и IRFB7434PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRFB7537PBF

+БОМ

5640 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRFB7434PBF

+БОМ

7189 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет TO-220 TO-220-3
Описание MOSFET N-CH 60V 173A TO220AB MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Series HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 173A (Tc) 195A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 3.3mOhm @ 100A, 10V 1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3.7V @ 150µA 3.9V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V 324 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 7020 pF @ 25 V 10820 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 230W (Tc) 294W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Модель сравнения : IRFB7537PBF IRFB7434PBF

+БОМ RFQ