IRFH7440TRPBF vs IRFH7084TRPBF

Это подробное сравнение IRFH7440TRPBF и IRFH7084TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFH7440TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 3357 ПКС
Package: TDSON-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

IRFH7084TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 3343 ПКС
Package: TDSON-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRFH7440TRPBF	IRFH7084TRPBF
Series	HEXFET®, StrongIRFET™	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V	40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	85A (Tc)	100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	6V, 10V	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	2.4mOhm @ 50A, 10V	1.25mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	3.9V @ 100µA	3.9V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	138 nC @ 10 V	190 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	4574 pF @ 25 V	6560 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	104W (Tc)	156W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ