IRFH7914TRPBF vs IRFH7911TR2PBF Сравнение
Это подробное сравнение IRFH7914TRPBF и IRFH7911TR2PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
PQFN-8
VQFN-18
Описание
MOSFET N-CH 30V 15A/35A 8PQFN
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
Supplier
-
Infineon Technologies
Part Status
Active
Obsolete
FET Type
N-Channel
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
-
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
15A (Ta), 35A (Tc)
13A, 28A
Rds On(Max) @ Id Vgs
8.7mOhm @ 14A, 10V
8.6mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
2.35V @ 25µA
2.35V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
12nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
1160 pF @ 15 V
1060pF @ 15V
Power - Max
-
2.4W, 3.4W
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Series
HEXFET®
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Vgs(Max)
±20V
-
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
