IRFHM830TRPBF
компанией Infineon Technologies
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 4639 ПКС
- Series
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные FET, MOSFET
Это подробное сравнение IRFHM830TRPBF и IRFHM792TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.
компанией Infineon Technologies
компанией Infineon Technologies
Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.
Use manufacturer datasheets as the final authority.
| Specification | IRFHM830TRPBF | IRFHM792TRPBF |
|---|---|---|
| Supplier | - | Infineon Technologies |
| Series | HEXFET® | HEXFET® |
| Part Status | Obsolete | Last Time Buy |
| FET Type | N-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V | 100V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | - | 2.3A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | - | 195mOhm @ 2.9A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | - | 4V @ 10µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | - | 6.3nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | - | 251pF @ 25V |
| Power - Max | - | 2.3W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Surface Mount |
| Base Product Number | IRFHM830 | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Ta), 40A (Tc) | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 20A, 10V | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 50µA | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V | - |
| Vgs (Max) | ±20V | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2155 pF @ 25 V | - |
| Power Dissipation (Max) | 2.7W (Ta), 37W (Tc) | - |
| Packaging | Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) | - |