IRFP250PBF vs IRFP264PBF

Это подробное сравнение IRFP250PBF и IRFP264PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFP250PBF

Vishay Силиконикс

Lifecycle
Active
Stock
1442 ПКС
Package
TO-247-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

IRFP264PBF

Vishay Силиконикс

Lifecycle
Active
Stock
2754 ПКС
Package
TO-247-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRFP250PBF IRFP264PBF
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V 250 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 30A (Tc) 38A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 85mOhm @ 18A, 10V 75mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 2800 pF @ 25 V 5400 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 190W (Tc) 280W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Compare RFQ