IRFP3206PBF vs IRFP3306PBF
Это подробное сравнение IRFP3306PBF и IRFP3206PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
TO-247-3
Описание
MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Last Time Buy
-
Base Product Number
IRFP3306
-
FET Type
N-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 75A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4520 pF @ 50 V
-
Power Dissipation (Max)
220W (Tc)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Mounting Type
Through Hole
-
Packaging
Tube
-
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
120A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
4V @ 150µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
170 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
6540 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max)
-
280W (Tc)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
-
Through Hole
