IRFP450PBF vs IRFP4310ZPBF

Это подробное сравнение IRFP450PBF и IRFP4310ZPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFP450PBF

Вишай

Lifecycle: Active
Stock: 6703 ПКС
Package: TO-247-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

IRFP4310ZPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 3590 ПКС
Package: TO-247-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRFP450PBF	IRFP4310ZPBF
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V	100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	14A (Tc)	120A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	400mOhm @ 8.4A, 10V	6mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 250µA	4V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	150 nC @ 10 V	170 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	2600 pF @ 25 V	6860 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)	190W (Tc)	280W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole
Series	-	HEXFET®

Compare RFQ