IRFP4668PBF vs IRFP460APBF

Это подробное сравнение IRFP4668PBF и IRFP460APBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFP4668PBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
6039 ПКС
Package
TO-247
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

IRFP460APBF

Vishay Силиконикс

Lifecycle
Active
Stock
3680 ПКС
Package
TO-247-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRFP4668PBF IRFP460APBF
Series HEXFET® -
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V 500 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 130A (Tc) 20A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 9.7mOhm @ 81A, 10V 270mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 241 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 10720 pF @ 50 V 3100 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 520W (Tc) 280W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Compare RFQ