IRFP460PBF vs IRFP450PBF

Это подробное сравнение IRFP460PBF и IRFP450PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFP460PBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
2768 ПКС
Package
TO-247-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

IRFP450PBF

Вишай

Lifecycle
Active
Stock
6703 ПКС
Package
TO-247-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRFP460PBF IRFP450PBF
Part Status Last Time Buy Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V 500 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 20A (Tc) 14A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 270mOhm @ 12A, 10V 400mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4200 pF @ 25 V 2600 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 280W (Tc) 190W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Series HEXFET® -
Compare RFQ