IRFR5305TRPBF vs IRFR5505 Сравнение

Это подробное сравнение IRFR5505 и IRFR5305TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRFR5505

+БОМ

6969 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRFR5305TRPBF

+БОМ

5161 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет TO-252 TO-252-3
Описание MOSFET P-CH 55V 18A DPAK MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Obsolete Active
FET Type P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V 55 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 18A (Tc) 31A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 110mOhm @ 9.6A, 10V 65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 650 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 57W (Tc) 110W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRFR5505 IRFR5305TRPBF

+БОМ RFQ