IRFR5505 vs IRFR5305TRPBF

Это подробное сравнение IRFR5505 и IRFR5305TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFR5505

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 6969 ПКС
Package: TO-252
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

IRFR5305TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 5161 ПКС
Package: TO-252-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRFR5505	IRFR5305TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Obsolete	Active
FET Type	P-Channel	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55 V	55 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	18A (Tc)	31A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	110mOhm @ 9.6A, 10V	65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 250µA	4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	32 nC @ 10 V	63 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	650 pF @ 25 V	1200 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	57W (Tc)	110W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ