IRFS4127TRLPBF vs IRFS4615TRLPBF

Это подробное сравнение IRFS4127TRLPBF и IRFS4615TRLPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFS4127TRLPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
6827 ПКС
Package
TO-263
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

IRFS4615TRLPBF

Международный исправитель

Lifecycle
Active
Stock
2429 ПКС
Package
TO-263-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRFS4127TRLPBF IRFS4615TRLPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V 150 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 72A (Tc) 33A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 22mOhm @ 44A, 10V 42mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 5380 pF @ 50 V 1750 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 375W (Tc) 144W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ