IRG4PH30KPBF vs IRG4PH50S-EPBF

Это подробное сравнение IRG4PH30KPBF и IRG4PH50S-EPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

IRG4PH30KPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
5665 ПКС
Package
TO-247-3
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single
+БОМ RFQ
Part B

IRG4PH50S-EPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
2983 ПКС
Package
TO-247-3
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRG4PH30KPBF IRG4PH50S-EPBF
Supplier - Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies
Part Status Obsolete Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 1200 V 1200 V
Current - Collector(Ic)(Max) 20 A 57 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 40 A 114 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 4.2V @ 15V, 10A 1.7V @ 15V, 33A
Power - Max 100 W 200 W
Switching Energy 640µJ (on), 920µJ (off) 1.8mJ (on), 19.6mJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 53 nC 167 nC
Td(on / off) @ 25°C 28ns/200ns 32ns/845ns
Test Condition 960V, 10A, 23Ohm, 15V 960V, 33A, 5Ohm, 15V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Compare RFQ