IRG4PH50UDPBF vs IRG4PF50WDPBF

Это подробное сравнение IRG4PH50UDPBF и IRG4PF50WDPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRG4PH50UDPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
6128 ПКС
Package
TO-247-3
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single
+БОМ RFQ
Part B

IRG4PF50WDPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
7688 ПКС
Series
Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRG4PH50UDPBF IRG4PF50WDPBF
Part Status Obsolete Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) - 900 V
Current - Collector (Ic) (Max) - 51 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic - 2.7V @ 15V, 28A
Power - Max 200 W 200 W
Switching Energy 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) 2.63mJ (on), 1.34mJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 160 nC 160 nC
Td (on / off) @ 25°C - 71ns/150ns
Test Condition 800V, 24A, 5Ohm, 15V 720V, 28A, 5Ohm, 15V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Base Product Number - IRG4PF50
Current - Collector Pulsed (Icm) - 204 A
Reverse Recovery Time (trr) 90 ns 90 ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 1200 V -
Current - Collector(Ic)(Max) 45 A -
Current - Collector Pulsed(Icm) 180 A -
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 3.7V @ 15V, 24A -
Td(on / off) @ 25°C 47ns/110ns -
Compare RFQ