IRG4PH50UDPBF vs IRG4PH50S-EPBF

Это подробное сравнение IRG4PH50UDPBF и IRG4PH50S-EPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRG4PH50UDPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
6128 ПКС
Package
TO-247-3
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single
+БОМ RFQ
Part B

IRG4PH50S-EPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
2983 ПКС
Package
TO-247-3
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRG4PH50UDPBF IRG4PH50S-EPBF
Supplier - Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies
Part Status Obsolete Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 1200 V 1200 V
Current - Collector(Ic)(Max) 45 A 57 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 180 A 114 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 3.7V @ 15V, 24A 1.7V @ 15V, 33A
Power - Max 200 W 200 W
Switching Energy 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) 1.8mJ (on), 19.6mJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 160 nC 167 nC
Td(on / off) @ 25°C 47ns/110ns 32ns/845ns
Test Condition 800V, 24A, 5Ohm, 15V 960V, 33A, 5Ohm, 15V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Reverse Recovery Time (trr) 90 ns -
Compare RFQ