IRGP4066DPBF
компанией Infineon Technologies
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 7138 ПКС
- Package
- TO-247-3
- Series
- Транзисторы - ИГБТ - Single
Это подробное сравнение IRGP4066DPBF и IRGP4063D1-EPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.
компанией Infineon Technologies
компанией Infineon Technologies
Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.
Use manufacturer datasheets as the final authority.
| Specification | IRGP4066DPBF | IRGP4063D1-EPBF |
|---|---|---|
| Supplier | - | Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC |
| Part Status | Obsolete | Obsolete |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) | 600 V | 600 V |
| Current - Collector(Ic)(Max) | 140 A | 100 A |
| Current - Collector Pulsed(Icm) | 225 A | 192 A |
| Vce(on)(Max) @ Vge Ic | 2.1V @ 15V, 75A | 2.14V @ 15V, 48A |
| Power - Max | 454 W | 330 W |
| Switching Energy | 2.47mJ (on), 2.16mJ (off) | 1.4mJ (on), 1.1mJ (off) |
| Input Type | Standard | Standard |
| Gate Charge | 150 nC | 150 nC |
| Td(on / off) @ 25°C | 50ns/200ns | 60ns/160ns |
| Test Condition | 400V, 75A, 10Ohm, 15V | 400V, 48A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 155 ns | 80 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Through Hole |
| IGBT Type | Trench | - |