IRLML0100TRPBF vs IRLML6344TRPBF

Это подробное сравнение IRLML0100TRPBF и IRLML6344TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRLML0100TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 2453 ПКС
Package: SOT-23
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

IRLML6344TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 5999 ПКС
Package: SOT-23
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRLML0100TRPBF	IRLML6344TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	1.6A (Ta)	5A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs	220mOhm @ 1.6A, 10V	29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.5V @ 25µA	1.1V @ 10µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	2.5 nC @ 4.5 V	6.8 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±16V	±12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	290 pF @ 25 V	650 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	1.3W (Ta)	1.3W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ