IRLML5203 vs IRLML2803TRPBF

Это подробное сравнение IRLML5203 и IRLML2803TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRLML5203

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 6689 ПКС
Package: SOT-23
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

IRLML2803TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 3918 ПКС
Package: SOT-23
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRLML5203	IRLML2803TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Obsolete	Active
FET Type	P-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	3A (Ta)	1.2A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	98mOhm @ 3A, 10V	250mOhm @ 910mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.5V @ 250µA	1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	14 nC @ 10 V	5 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	510 pF @ 25 V	85 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	1.25W (Ta)	540mW (Ta)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Operating Temperature	-	-55°C ~ 150°C (TJ)

Compare RFQ