IRLML6402TRPBF vs IRLML2803TRPBF

Это подробное сравнение IRLML6402TRPBF и IRLML2803TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRLML6402TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 3910 ПКС
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные FET, MOSFET

+БОМ RFQ

Part B

IRLML2803TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 3918 ПКС
Package: SOT-23
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRLML6402TRPBF	IRLML2803TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Last Time Buy	Active
Base Product Number	IRLML6402	-
FET Type	P-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.7A (Ta)	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 3.7A, 4.5V	-
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 5 V	-
Vgs (Max)	±12V	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	633 pF @ 10 V	-
Power Dissipation (Max)	1.3W (Ta)	540mW (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Packaging	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)	-
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	-	1.2A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	-	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	-	250mOhm @ 910mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	-	1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	-	5 nC @ 10 V
Vgs(Max)	-	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	-	85 pF @ 25 V

Compare RFQ