IRS20957STRPBF vs IRS2011STRPBF

Это подробное сравнение IRS2011STRPBF и IRS20957STRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRS2011STRPBF

+БОМ

2833 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRS20957STRPBF

+БОМ

3562 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-16
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC AMP CLASS D MONO 16SOIC
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration Half-Bridge -
ChannelType Independent -
NumberofDrivers 2 -
GateType N-Channel MOSFET -
Voltage-Supply 10V ~ 20V 10V ~ 15V
LogicVoltage-VILVIH 0.7V, 2.5V -
Current-PeakOutput(SourceSink) 1A, 1A -
InputType Inverting -
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 200 V -
Rise/FallTime(Typ) 25ns, 15ns -
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TA)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Type - Class D
OutputType - 1-Channel (Mono)
Features - Short-Circuit Protection, Shutdown
Модель сравнения : IRS2011STRPBF IRS20957STRPBF

+БОМ RFQ