ISL6612ACBZ-T vs ISL6612AECBZ

Это подробное сравнение ISL6612ACBZ-T и ISL6612AECBZ предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
ISL6612ACBZ-T

+БОМ

3542 ПКС | компанией Renesas Electronics America Inc
ISL6612AECBZ

+БОМ

2516 ПКС | компанией Renesas Electronics America Inc
Пакет SOP-8 SOP-8
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ProductStatus Active Obsolete
DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge
ChannelType Synchronous Synchronous
NumberofDrivers 2 2
GateType N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10.8V ~ 13.2V 10.8V ~ 13.2V
Current-PeakOutput(SourceSink) 1.25A, 2A 1.25A, 2A
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 36 V 36 V
Rise/FallTime(Typ) 26ns, 18ns 26ns, 18ns
OperatingTemperature 0°C ~ 125°C (TJ) 0°C ~ 125°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : ISL6612ACBZ-T ISL6612AECBZ

+БОМ RFQ