ISL6617AFRZ vs ISL6612CR

Это подробное сравнение ISL6617AFRZ и ISL6612CR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
ISL6617AFRZ

+БОМ

1239 ПКС | компанией Renesas Electronics America Inc
ISL6612CR

+БОМ

4667 ПКС | компанией Renesas Electronics America Inc
Пакет VFDFN-10 DFN-10
Описание IC PWM INPUT IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
ProductStatus Last Time Buy Obsolete
DrivenConfiguration - Half-Bridge
ChannelType - Synchronous
NumberofDrivers - 2
GateType - N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 4.5V ~ 5.5V 10.8V ~ 13.2V
Current-PeakOutput(SourceSink) - 1.25A, 2A
InputType - Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) - 36 V
Rise/FallTime(Typ) - 26ns, 18ns
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C 0°C ~ 125°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Applications PWM Doubler -
Current-Supply 6mA -
Модель сравнения : ISL6617AFRZ ISL6612CR

+БОМ RFQ