ISL6620CRZ-T vs ISL6612ACR Сравнение

Это подробное сравнение ISL6620CRZ-T и ISL6612ACR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
ISL6620CRZ-T

+БОМ

1846 ПКС | компанией Renesas Electronics America Inc
ISL6612ACR

+БОМ

7893 ПКС | компанией Renesas Electronics America Inc
Пакет VFDFN-10 DFN-10
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
Part Status Obsolete Obsolete
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Synchronous Synchronous
Number of Drivers 2 2
Gate Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 4.5V ~ 5.5V 10.8V ~ 13.2V
Current - Peak Output(Source Sink) 2A, 2A 1.25A, 2A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 36 V 36 V
Rise / Fall Time(Typ) 8ns, 8ns 26ns, 18ns
Operating Temperature 0°C ~ 125°C (TJ) 0°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : ISL6620CRZ-T ISL6612ACR

+БОМ RFQ