IXDN602SIATR vs IXDN614SI

Это подробное сравнение IXDN602SIATR и IXDN614SI предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IXDN602SIATR

Отдел интегральных схем IXYS

Lifecycle: Active
Stock: 2361 ПКС
Package: SOIC-8
Series: PMIC - Драйверы ворот

+БОМ RFQ

Part B

IXDN614SI

Отдел интегральных схем IXYS

Lifecycle: Active
Stock: 4557 ПКС
Package: SOIC-8
Series: PMIC - Драйверы ворот

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IXDN602SIATR	IXDN614SI
Part Status	Active	Active
Driven Configuration	Low-Side	Low-Side
Channel Type	Independent	Single
Number of Drivers	2	1
Gate Type	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Voltage - Supply	4.5V ~ 35V	4.5V ~ 35V
Logic Voltage - VILVIH	0.8V, 3V	0.8V, 3V
Current - Peak Output(Source Sink)	2A, 2A	14A, 14A
Input Type	Non-Inverting	Non-Inverting
Rise / Fall Time(Typ)	7.5ns, 6.5ns	25ns, 18ns
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ