JANTX2N2222A vs JANTX2N3029

Это подробное сравнение JANTX2N2222A и JANTX2N3029 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

JANTX2N2222A

Технология микрочипов

Lifecycle
Active
Stock
5916 ПКС
Package
TO-18-3
Series
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

JANTX2N3029

корпорации Microsemi

Lifecycle
Active
Stock
5197 ПКС
Package
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Series
Тиристоры - SCR
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification JANTX2N2222A JANTX2N3029
Supplier - Microchip Technology
Series Military, MIL-PRF-19500/255 Military, MIL-S-19500/419
Part Status Active Active
Voltage - Off State - 1 kV
Voltage - Gate Trigger(Vgt)(Max) - 800 mV
Current - Gate Trigger(Igt)(Max) - 200 µA
Voltage - On State(Vtm)(Max) - 1.5 V
Current - On State(It(RMS))(Max) - 250 mA
Current - Hold(Ih)(Max) - 5 mA
Current - Off State(Max) - 100 nA
Current - Non Rep Surge5060 Hz(Itsm) - 5A, 8A
SCR Type - Sensitive Gate
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ) -65°C ~ 150°C
Mounting Type Through Hole Through Hole
Transistor Type NPN -
Current - Collector(Ic)(Max) 800 mA -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50 V -
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 1V @ 50mA, 500mA -
Current - Collector Cutoff(Max) 50nA -
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 100 @ 150mA, 10V -
Power - Max 500 mW -
Compare RFQ