JANTX2N2907A vs JANTX2N2329

Это подробное сравнение JANTX2N2907A и JANTX2N2329 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

JANTX2N2907A

Технология микрочипов

Lifecycle
Active
Stock
27557 ПКС
Package
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Series
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

JANTX2N2329

Технология микрочипов

Lifecycle
Active
Stock
6723 ПКС
Package
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Series
Тиристоры - SCR
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification JANTX2N2907A JANTX2N2329
Supplier Microchip Technology Microchip Technology
Series Military, MIL-PRF-19500/291 Military, MIL-PRF-19500/276
Part Status Active Obsolete
Transistor Type PNP -
Current - Collector(Ic)(Max) 600 mA -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 60 V -
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 1.6V @ 50mA, 500mA -
Current - Collector Cutoff(Max) 50nA -
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 100 @ 150mA, 10V -
Power - Max 500 mW -
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ) -65°C ~ 125°C
Mounting Type Through Hole Through Hole
Voltage - Off State - 400 V
Voltage - Gate Trigger(Vgt)(Max) - 800 mV
Current - Gate Trigger(Igt)(Max) - 200 µA
Current - On State(It(AV))(Max) - 220 mA
Current - Hold(Ih)(Max) - 2 mA
SCR Type - Sensitive Gate
Compare RFQ