JANTX2N6796 vs JANTX2N2060

Это подробное сравнение JANTX2N6796 и JANTX2N2060 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

JANTX2N6796

корпорации Microsemi

Lifecycle
Active
Stock
2949 ПКС
Package
TO-205AF-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

JANTX2N2060

Технология микрочипов

Lifecycle
Active
Stock
7218 ПКС
Package
TO-78-6
Series
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification JANTX2N6796 JANTX2N2060
Supplier - Microchip Technology
Series Military, MIL-PRF-19500/557 Military, MIL-PRF-19500/270
Part Status Obsolete Active
Transistor Type - 2 NPN (Dual)
Current - Collector(Ic)(Max) - 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) - 60V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic - 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff(Max) - 10µA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce - 50 @ 10mA, 5V
Power - Max - 600mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
FET Type N-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 8A (Tc) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V -
Rds On(Max) @ Id Vgs 195mOhm @ 8A, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 28.51 nC @ 10 V -
Vgs(Max) ±20V -
Power Dissipation (Max) 800mW (Ta), 25W (Tc) -
Compare RFQ