JANTX2N6796 vs JANTX2N2907A Сравнение
Это подробное сравнение JANTX2N2907A и JANTX2N6796 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
TO-205AF-3
Описание
TRANS PNP 60V 0.6A TO206AA
MOSFET N-CH 100V 8A TO205AF
Supplier
Microchip Technology
-
Series
Military, MIL-PRF-19500/291
Military, MIL-PRF-19500/557
Part Status
Active
Obsolete
Transistor Type
PNP
-
Current - Collector(Ic)(Max)
600 mA
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)
60 V
-
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
-
Current - Collector Cutoff(Max)
50nA
-
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce
100 @ 150mA, 10V
-
Power - Max
500 mW
-
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Through Hole
FET Type
-
N-Channel
Technology
-
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
8A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
-
10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
-
195mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
-
4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
28.51 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
Power Dissipation (Max)
-
800mW (Ta), 25W (Tc)
