LM211D vs LM211DR2

Это подробное сравнение LM211D и LM211DR2 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
LM211D

+БОМ

6135 ПКС | Онсеми
LM211DR2

+БОМ

7541 ПКС | Онсеми
Пакет SOIC (D)-8
Описание COMPARATOR IC COMPARATOR SGL HI VOLT 8SOIC
Supplier - onsemi
ProductStatus Obsolete Obsolete
Type General Purpose -
NumberofElements 1 -
OutputType DTL, MOS, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL -
Voltage-SupplySingle/Dual(±) 5V ~ 30V, ±2.5V ~ 15V -
Voltage-InputOffset(Max) 3mV @ ±15V -
Current-InputBias(Max) 0.1µA @ ±15V -
Current-Output(Typ) 50mA -
Current-Quiescent(Max) 6mA -
OperatingTemperature -40°C ~ 105°C -
MountingType Surface Mount -
Модель сравнения : LM211D LM211DR2

+БОМ RFQ