LM258DR2G vs LM258AYDT

Это подробное сравнение LM258DR2G и LM258AYDT предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

LM258DR2G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 7313 ПКС
Series: Линейные - Усилетели - Приборы, ОП Усилетели, Буферные Усилетели

+БОМ RFQ

Part B

LM258AYDT

STМикроэлектроника

Lifecycle: Active
Stock: 5642 ПКС
Package: SOIC-8
Series: Линейные - Усилетели - Приборы, ОП Усилетели, Буферные Усилетели

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	LM258DR2G	LM258AYDT
Supplier	-	STMicroelectronics
Series	-	Automotive, AEC-Q100
Part Status	Active	Active
Amplifier Type	General Purpose	General Purpose
Number of Circuits	2	2
Slew Rate	-	0.6V/µs
Gain Bandwidth Product	1 MHz	1.1 MHz
Current - Input Bias	45 nA	20 nA
Voltage - Input Offset	2 mV	1 mV
Supply Current	800µA (x2 Channels)	700µA (x2 Channels)
Current - Output / Channel	40 mA	40 mA
Voltage - Supply Span(Min)	3 V	3 V
Voltage - Supply Span(Max)	32 V	30 V
Operating Temperature	-25°C ~ 85°C	-40°C ~ 105°C
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ