LM258DR vs LM258DRE4 Сравнение

Это подробное сравнение LM258DR и LM258DRE4 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
LM258DR

+БОМ

5147 ПКС | Техасские инструменты
LM258DRE4

+БОМ

5066 ПКС | Техасские инструменты
Пакет SOIC-8
Описание IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
Supplier - Texas Instruments
Part Status Active Obsolete
Amplifier Type General Purpose General Purpose
Number of Circuits 2 2
Slew Rate 0.3V/µs 0.3V/µs
Gain Bandwidth Product 700 kHz 700 kHz
Current - Input Bias 20 nA 20 nA
Voltage - Input Offset 3 mV 3 mV
Supply Current 500µA (x2 Channels) 500µA (x2 Channels)
Current - Output / Channel 40 mA 40 mA
Voltage - Supply Span(Min) 3 V 3 V
Voltage - Supply Span(Max) 32 V 32 V
Operating Temperature -25°C ~ 85°C (TA) -25°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : LM258DR LM258DRE4

+БОМ RFQ