LM293DR2G vs LM293DRE4 Сравнение

Это подробное сравнение LM293DR2G и LM293DRE4 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
LM293DR2G

+БОМ

4303 ПКС | Онсеми
LM293DRE4

+БОМ

6326 ПКС | Техасские инструменты
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC COMP DUAL OFFSET LV 8SOIC IC COMPARATOR DIFF DUAL 8SOIC
Supplier - Texas Instruments
Part Status Active Discontinued at Digi-Key
Type General Purpose Differential
Number of Elements 2 2
Output Type CMOS, DTL, ECL, MOS, Open-Collector, TTL CMOS, MOS, Open-Drain, TTL
Voltage - Supply, Single/Dual (±) 2V ~ 36V, ±1V ~ 18V 2V ~ 36V, ±1V ~ 18V
Voltage - Input Offset (Max) 5mV @ 30V 5mV @ 30V
Current - Input Bias(Max) 0.25µA @ 5V 0.25µA @ 5V
Current - Output (Typ) 16mA @ 5V 20mA
Current - Quiescent (Max) 2.5mA 2.5mA
Operating Temperature -25°C ~ 85°C -25°C ~ 85°C
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : LM293DR2G LM293DRE4

+БОМ RFQ