LM311DR vs LM311DE4

Это подробное сравнение LM311DR и LM311DE4 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
LM311DR

+БОМ

4713 ПКС | Техасские инструменты
LM311DE4

+БОМ

2715 ПКС | Техасские инструменты
Пакет SOIC (D)-8 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Описание IC DIFF COMP STROBE 8-SOIC IC DIFF COMPARATOR STROBE 8-SOIC
Supplier - Rochester Electronics, LLC,Texas Instruments
ProductStatus Active Discontinued at Digi-Key
Type General Purpose General Purpose
NumberofElements 1 1
OutputType MOS, Open-Collector, Open-Emitter, TTL MOS, Open-Collector, Open-Emitter, TTL
Voltage-SupplySingle/Dual(±) 3.5V ~ 30V, ±1.75V ~ 15V 3.5V ~ 30V, ±1.75V ~ 15V
Voltage-InputOffset(Max) 7.5mV @ ±15V 7.5mV @ ±15V
Current-InputBias(Max) 0.25µA @ ±15V 0.25µA @ ±15V
Current-Quiescent(Max) 7.5mA 7.5mA
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C 0°C ~ 70°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : LM311DR LM311DE4

+БОМ RFQ