LM358BIDR vs LM358DG

Это подробное сравнение LM358BIDR и LM358DG предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

LM358BIDR

Техасские инструменты

Lifecycle
Active
Stock
4146 ПКС
Series
Линейные - Усилетели - Приборы, ОП Усилетели, Буферные Усилетели
+БОМ RFQ
Part B

LM358DG

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
9337 ПКС
Package
SOIC-8
Series
Линейные - Усилетели - Приборы, ОП Усилетели, Буферные Усилетели
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification LM358BIDR LM358DG
Supplier - Rochester Electronics, LLC,onsemi
Part Status Active Obsolete
Amplifier Type General Purpose General Purpose
Number of Circuits 2 2
Gain Bandwidth Product 1.2 MHz 1 MHz
Current - Input Bias 10 nA 45 nA
Voltage - Input Offset 300 µV 2 mV
Supply Current 300µA (x2 Channels) 800µA (x2 Channels)
Current - Output / Channel 40 mA 40 mA
Voltage - Supply Span(Min) 3 V 3 V
Voltage - Supply Span(Max) 36 V 32 V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) 0°C ~ 70°C
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Slew Rate 0.5V/µs -
Compare RFQ