LM358DR2G vs LM358WDT Сравнение

Это подробное сравнение LM358DR2G и LM358WDT предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
LM358DR2G

+БОМ

7716 ПКС | Онсеми
LM358WDT

+БОМ

6409 ПКС | STМикроэлектроника
Пакет SOIC-8
Описание IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
Supplier - STMicroelectronics
Series - Automotive, AEC-Q100
Part Status Active Active
Amplifier Type General Purpose General Purpose
Number of Circuits 2 2
Slew Rate - 0.6V/µs
Gain Bandwidth Product 1 MHz 1.1 MHz
Current - Input Bias 45 nA 20 nA
Voltage - Input Offset 2 mV 2 mV
Supply Current 800µA (x2 Channels) 700µA
Current - Output / Channel 40 mA 40 mA
Voltage - Supply Span(Min) 3 V 3 V
Voltage - Supply Span(Max) 32 V 30 V
Operating Temperature 0°C ~ 70°C 0°C ~ 70°C
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : LM358DR2G LM358WDT

+БОМ RFQ