LT1013DIDR vs LT1013DS8#TR Сравнение

Это подробное сравнение LT1013DIDR и LT1013DS8#TR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
LT1013DIDR

+БОМ

6402 ПКС | Техасские инструменты
LT1013DS8#TR

+БОМ

2432 ПКС | Компания Analog Devices Inc.
Пакет SOIC-8
Описание IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SO
Supplier - Analog Devices Inc.
Series - LT®
Part Status Active Active
Amplifier Type General Purpose General Purpose
Number of Circuits 2 2
Slew Rate 0.4V/µs 0.4V/µs
Gain Bandwidth Product 1 MHz 1 MHz
Current - Input Bias 18 nA 15 nA
Voltage - Input Offset 90 µV 60 µV
Supply Current 320µA (x2 Channels) 350µA (x2 Channels)
Current - Output / Channel - 20 mA
Voltage - Supply Span(Min) 5 V 4 V
Voltage - Supply Span(Max) 30 V 44 V
Operating Temperature -40°C ~ 105°C (TA) 0°C ~ 70°C
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : LT1013DIDR LT1013DS8#TR

+БОМ RFQ