LT1167CS8 vs LT1161CSW#PBF Сравнение

Это подробное сравнение LT1167CS8 и LT1161CSW#PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
LT1167CS8

+БОМ

1499 ПКС | Компания Analog Devices Inc.
LT1161CSW#PBF

+БОМ

5879 ПКС | Компания Analog Devices Inc.
Пакет SOP-20
Описание IC GATE DRVR HIGH-SIDE 20SOIC
Part Status Active Active
Driven Configuration - High-Side
Channel Type - Independent
Number of Drivers - 4
Gate Type - N-Channel MOSFET
Voltage - Supply - 8V ~ 48V
Logic Voltage - VILVIH - 0.8V, 2V
Input Type - Non-Inverting
Operating Temperature 0°C ~ 70°C 0°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Amplifier Type Instrumentation -
Number of Circuits 1 -
Slew Rate 1.2V/µs -
Gain Bandwidth Product 1 MHz -
Current - Input Bias 80 pA -
Voltage - Input Offset 20 µV -
Supply Current 900µA -
Current - Output / Channel 27 mA -
Voltage - Supply Span(Min) 4.6 V -
Voltage - Supply Span(Max) 36 V -
Модель сравнения : LT1167CS8 LT1161CSW#PBF

+БОМ RFQ