LTC4414IMS8#PBF vs LTC4446EMS8E#PBF Сравнение

Это подробное сравнение LTC4446EMS8E#PBF и LTC4414IMS8#PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.

Спецификации

LTC4446EMS8E#PBF

+БОМ

8802 ПКС | Компания Analog Devices Inc.

LTC4414IMS8#PBF

+БОМ

5876 ПКС | Компания Analog Devices Inc.

Пакет MSOP-8 MSOP-8

Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP IC OR CTRLR SRC SELECT 8MSOP

Part Status Active Active

Driven Configuration Half-Bridge -

Channel Type Independent -

Number of Drivers 2 -

Gate Type N-Channel MOSFET -

Voltage - Supply 7.2V ~ 13.5V 3V ~ 36V

Logic Voltage - VILVIH 1.85V, 3.25V -

Current - Peak Output(Source Sink) 2.5A, 3A -

Input Type Non-Inverting -

High Side Voltage - Max(Bootstrap) 114 V -

Rise / Fall Time(Typ) 8ns, 5ns -

Operating Temperature -40°C ~ 85°C -40°C ~ 125°C

Mounting Type Surface Mount Surface Mount

Series - PowerPath™

Type - Source Selector Switch

FET Type - P-Channel

Ratio - Input: Output - 2:1

Internal Switch(s) - No

Delay Time - ON - 600 µs

Delay Time - OFF - 20 µs

Supply Current - 31 µA

Applications - Battery Backup, Industrial/Automotive, High Current Switch

Модель сравнения : LTC4446EMS8E#PBF LTC4414IMS8#PBF

+БОМ RFQ

LTC4414IMS8#PBF vs LTC4446EMS8E#PBF Сравнение

Связанные

Сопоставительный анализ